今や経済、社会のインフラとなっているコンピュータ、エレクトロニクス製品の心臓部がLSIや超LSIなど半導体集積回路です。
その製造において、40ナノメートル以下に達した微細な回路を転写する原板となるのがハードマスクブランクス。なかでもメタルクロムと酸化クロムからなる低反射マスクブランクスは、当社が世界に先駆けてつくりだしたもので、現在では世界中のLSIメーカーが使用しています。
ハードマスクブランクスHard Mask Blanksは、主に石英やソーダライムと言ったガラス基板上に、クロムやモリブデンシリサイドを母材とした薄膜を形成し、感光性材料(電子線用、レーザー用レジストなど)を塗布した製品です。
ハードマスクブランクスには低反射クロムマスクブランクスとハーフトーン型位相シフトマスクブランクスがあります。
ハードマスクブランクスHard Mask Blanksはリソグラフィー用原版として、LSIの製造に用いられるマスクに使用されます。
2.5×2.5, 3.0×3.0, 4.0×4.0,5.0x5.0, 6.0×6.0, 7.0×7.0 and 9.0×9.0 inch
世界中のＬＳＩメーカーが使用しているメタルクロムと酸化クロムからなる低反射クロム膜マスクブランクスはアルバック成膜ULCOATが世界に先駆けてつくり出した製品であり、またこれによって初めて超ＬＳＩが可能になったと言えます。
さらに低反射クロム膜マスクブランクスはサブミクロンの欠陥及び、ナノレベルのパターン性能(断面形状、エッジラフネス)、高精度な表面反射率や光学濃度分布、低膜応力などが要求されます。
アルバック成膜のハーフトーン型位相シフトマスクブランクスAttenuated Phase Shift Mask Blanksは、従来のハードマスクを用いた光学式の露光限界を超えた微細線幅回路を作製する為開発されました。アルバック成膜では最先端マスクの原版として注目されるハーフトーン型位相シフトマスクブランクスを開発・販売し、半導体の一層の微細化、高集積化のニーズにお応えしております。
ハーフトーン型位相シフトマスクブランクスは低反射Crマスクブランクスに要求される性能に加えて、位相差及び透過率の２つの光学特性を同時に高精度な制御をすることが要求されます。
ハーフトーン型位相シフトマスクブランクスは主にモリブデン(Mo)とシリコン(Si)を母材とし酸化や窒化などの反応により半透明な膜を合成石英ガラス基板上に生成した製品です。
